GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃。

其硬度高，又是一种良好的涂层保护材料

GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。禁带宽度大（3.4eV），热导率高（1.3W/cm-K），则工作温度高，击穿电压高，抗辐射能力强