DRT803-301AIGBT驱动变压器信息

产品详细说明:“动力星”DRT803/301AIGBT驱动变压器 DRT系列IGBT驱动变压器系我公司为驱动IGBT和MOSFET而专门研制的最新产品，以非晶合金和纳米晶合金作为磁芯，可满足多项应用要求。一．产品特点： ①耦合电容低，使之具有很高的抗干扰能力；②漏感小，保证了更好的输出脉冲波形；③无开关延时、瞬时传输功率高；④抗电强度高，安全可靠；⑤全封闭，机械和耐环境性能好；⑥体积小巧，结构紧凑，外形美观，针脚穿孔式安装，使用方便。二．使用条件：①环境温度：-40℃~+85℃②相对湿度：温度为40℃时不大于90%③大气压力：860~1060mbar（约为650~800mmHg）三．绝缘耐热等级：F级（155℃）四．安全特性：①绝缘电阻：常态时大于1000MΩ②阻燃性：符合UL94-V₀级五．各参数意义及外形图、安装尺寸、线圈图和主要技术参数（典型值） ①各参数的意义： u—变比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ。 V_P—各绕组之间施加的抗电强度试验电压之有效值，持续时间60s。 ∫udt—额定伏微秒积≈V₁·t_n（在一定频率范围内其值基本不变）。 V₁—输入脉冲幅度（初级脉冲电压）。 t_n—在相应的V₁和F_P下驱动变压器的额定传输脉宽。 V₂—输出脉冲幅度（次级脉冲幅度）。 R_L—IGBT模块或MOSFET控制级等效电阻。 L_P—线圈初级电感量f=1000HzV=0.3V L_S—漏感（将次级绕组短路后测量）f=1000HzV=1V C_K—分布电容 f=1000HzV=1V ②外形图、安装尺寸、线圈图及主要技术参数

u	Vp（kV）	初级电感LP	漏感LS	分布电容CK	∫udt（μV S）	V1（V）	tn（μS）	V2（V）	RL（Ω）	使用频率范围
3:1	6.0	3.5mH	12μH	32pF	≥1000	30	33.3	9	100	100Hz~50 kHz